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Ieee Journal Of The Electron Devices Society是工程技術領域的一本優秀期刊。由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社出版。該期刊主要發表工程技術領域的原創性研究成果。創刊于2013年，該期刊主要刊載Biochemistry, Genetics and Molecular Biology-Biotechnology及其基礎研究的前瞻性、原始性、首創性研究成果、科技成就和進展。該期刊不僅收錄了該領域的科技成就和進展，更以其深厚的學術積淀和卓越的審稿標準，確保每篇文章都具備高度的學術價值。此外，該刊同時被SCIE數據庫收錄，并被劃分為中科院SCI3區期刊，它始終堅持創新，不斷專注于發布高度有價值的研究成果，不斷推動工程技術領域的進步。
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| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 3區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 4區 | 否 | 否 |
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 3區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 3區 | 否 | 否 |
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 3區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 3區 | 否 | 否 |
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 4區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 4區 | 否 | 否 |
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 3區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 3區 | 否 | 否 |
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 3區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 3區 | 否 | 否 |
| 按JIF指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
| 學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 202 / 352 |
42.8% |
| 按JCI指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
| 學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 179 / 354 |
49.58% |
| 學科類別 | 分區 | 排名 | 百分位 |
| 大類：Materials Science 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials | Q2 | 90 / 284 |
68% |
| 大類：Materials Science 小類：Electrical and Electronic Engineering | Q2 | 253 / 797 |
68% |
| 大類：Materials Science 小類：Biotechnology | Q2 | 139 / 311 |
55% |
| 年份 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 |
| 年發文量 | 0 | 0 | 69 | 110 | 169 | 188 | 198 | 180 | 144 | 92 |
| 國家/地區 | 數量 |
| CHINA MAINLAND | 168 |
| USA | 99 |
| Taiwan | 98 |
| South Korea | 74 |
| Japan | 61 |
| India | 40 |
| France | 29 |
| GERMANY (FED REP GER) | 27 |
| Switzerland | 23 |
| Belgium | 20 |
| 機構 | 數量 |
| NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY | 35 |
| INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM) | 22 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 20 |
| ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE | 18 |
| NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY | 17 |
| UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE & TECHNOLOGY OF CHINA | 17 |
| NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY | 15 |
| SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (SNU) | 15 |
| SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY | 15 |
| PEKING UNIVERSITY | 14 |
| 文章名稱 | 引用次數 |
| FinFET Versus Gate-All-Around Nanowire FET: Performance, Scaling, and Variability | 21 |
| Characterization and Compact Modeling of Nanometer CMOS Transistors at Deep-Cryogenic Temperatures | 19 |
| Characterization and Modeling of 28-nm Bulk CMOS Technology Down to 4.2 K | 14 |
| Cryogenic Temperature Characterization of a 28-nm FD-SOI Dedicated Structure for Advanced CMOS and Quantum Technologies Co-Integration | 11 |
| Hysteresis Reduction in Negative Capacitance Ge PFETs Enabled by Modulating Ferroelectric Properties in HfZrOx | 11 |
| Tunneling Transistors Based on MoS2/MoTe2 Van der Waals Heterostructures | 11 |
| Direct Correlation of Ferroelectric Properties and Memory Characteristics in Ferroelectric Tunnel Junctions | 10 |
| Ferroelectric HfO2 Tunnel Junction Memory With High TER and Multi-Level Operation Featuring Metal Replacement Process | 10 |
| Development and Fabrication of AlGaInP-Based Flip-Chip Micro-LEDs | 10 |
| Experimental Investigations of State-of-the-Art 650-V Class Power MOSFETs for Cryogenic Power Conversion at 77K | 10 |
SCIE
影響因子 1.5
CiteScore 2.8
SCIE
影響因子 1.5
CiteScore 3.6
SCIE
CiteScore 8.9
SCIE
影響因子 0.5
CiteScore 1.8
SCIE
影響因子 2.2
CiteScore 6.5
SCIE
影響因子 0.4
CiteScore 2.2
SCIE SSCI
影響因子 4.1
CiteScore 7.1
SCIE SSCI
影響因子 0.9
CiteScore 1.5
SCIE SSCI
影響因子 12.5
CiteScore 22.1
SCIE
影響因子 4.5
CiteScore 8.1
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