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Apl Materials是材料科學領域的一本權威期刊。由American Institute of Physics出版社出版。該期刊主要發(fā)表材料科學領域的原創(chuàng)性研究成果。創(chuàng)刊于2013年,是材料科學領域中具有代表性的學術刊物。該期刊主要刊載NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGYMATERIALS SCIE-MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY及其基礎研究的前瞻性、原始性、首創(chuàng)性研究成果、科技成就和進展。該期刊不僅收錄了該領域的科技成就和進展,更以其深厚的學術積淀和卓越的審稿標準,確保每篇文章都具備高度的學術價值。此外,該刊同時被SCIE數(shù)據(jù)庫收錄,并被劃分為中科院SCI2區(qū)期刊,它始終堅持創(chuàng)新,不斷專注于發(fā)布高度有價值的研究成果,不斷推動材料科學領域的進步。
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大類學科 | 分區(qū) | 小類學科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
材料科學 | 2區(qū) | PHYSICS, APPLIED 物理:應用 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學:綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 | 2區(qū) 3區(qū) 3區(qū) | 否 | 否 |
大類學科 | 分區(qū) | 小類學科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
材料科學 | 2區(qū) | MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學:綜合 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 | 2區(qū) 2區(qū) 3區(qū) | 否 | 否 |
大類學科 | 分區(qū) | 小類學科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
材料科學 | 3區(qū) | MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學:綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 | 3區(qū) 3區(qū) 3區(qū) | 否 | 否 |
大類學科 | 分區(qū) | 小類學科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術 | 2區(qū) | MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學:綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 | 3區(qū) 4區(qū) 3區(qū) | 否 | 否 |
大類學科 | 分區(qū) | 小類學科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
材料科學 | 3區(qū) | MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學:綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 | 3區(qū) 3區(qū) 3區(qū) | 否 | 否 |
大類學科 | 分區(qū) | 小類學科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
材料科學 | 2區(qū) | MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學:綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 | 3區(qū) 3區(qū) 3區(qū) | 否 | 否 |
按JIF指標學科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
學科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q2 | 122 / 438 |
72.3% |
學科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q2 | 46 / 140 |
67.5% |
學科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q1 | 42 / 179 |
76.8% |
按JCI指標學科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
學科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q1 | 105 / 438 |
76.14% |
學科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q2 | 39 / 140 |
72.5% |
學科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q1 | 38 / 179 |
79.05% |
學科類別 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
大類:Engineering 小類:General Engineering | Q1 | 24 / 307 |
92% |
大類:Engineering 小類:General Materials Science | Q1 | 78 / 463 |
83% |
年份 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 |
年發(fā)文量 | 0 | 178 | 185 | 143 | 150 | 276 | 228 | 254 | 203 | 285 |
國家/地區(qū) | 數(shù)量 |
USA | 256 |
CHINA MAINLAND | 143 |
GERMANY (FED REP GER) | 101 |
Japan | 77 |
South Korea | 67 |
England | 62 |
Spain | 31 |
Switzerland | 27 |
France | 26 |
India | 26 |
機構 | 數(shù)量 |
UNITED STATES DEPARTMENT OF ENERGY (DOE) | 63 |
UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM | 45 |
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 36 |
HELMHOLTZ ASSOCIATION | 34 |
UNIVERSITY OF CAMBRIDGE | 27 |
MAX PLANCK SOCIETY | 23 |
UNIVERSITY OF TOKYO | 22 |
PENNSYLVANIA COMMONWEALTH SYSTEM OF HIGHER EDUCATION (PCSHE) | 20 |
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) | 17 |
UNIVERSITY OF CHICAGO | 17 |
文章名稱 | 引用次數(shù) |
Verification and mitigation of ion migration in perovskite solar cells | 46 |
Dielectric and ferroic properties of metal halide perovskites | 39 |
Photoelectrochemical cells for solar hydrogen production: Challenges and opportunities | 32 |
MOCVD grown epitaxial beta-Ga2O3 thin film with an electron mobility of 176 cm(2)/V s at room temperature | 27 |
From flexible electronics technology in the era of IoT and artificial intelligence toward future implanted body sensor networks | 27 |
Perspective: New process technologies required for future devices and scaling | 23 |
Impact of proton irradiation on conductivity and deep level defects in beta-Ga2O3 | 23 |
Stretchable conductive nanocomposite based on alginate hydrogel and silver nanowires for wearable electronics | 23 |
Recombination and bandgap engineering in CdSeTe/CdTe solar cells | 21 |
Research Update: Bismuth-based perovskite-inspired photovoltaic materials | 20 |
SCIE
CiteScore 2
SCIE
影響因子 15.3
CiteScore 21.9
SCIE
CiteScore 0.1
SCIE
CiteScore 10.3
SCIE
影響因子 0.8
CiteScore 1.3
SCIE
影響因子 14.8
CiteScore 13.8
SCIE
SCIE
影響因子 0.6
CiteScore 1.4
SCIE
影響因子 1.7
SCIE
影響因子 12.6
CiteScore 17.8
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