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Ieee Magnetics Letters
人氣：33

Ieee Magnetics Letters SCIE

  • ISSN：1949-307X
  • 出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
  • 出版語言：English
  • E-ISSN：1949-3088
  • 出版地區：UNITED STATES
  • 是否預警：否
  • 創刊時間：2010
  • 出版周期：1 issue/year
  • TOP期刊：否
  • 影響因子：1.1
  • 是否OA：未開放
  • CiteScore：2.4
  • H-index：20
  • 研究類文章占比：100.00%
  • Gold OA文章占比：18.31%
  • 開源占比：0.2229
  • OA被引用占比：0.0183...
  • 出版國人文章占比：0.12
  • 國際標準簡稱：IEEE MAGN LETT
  • 涉及的研究方向：PHYSICS, APPLIED
  • 中文名稱：IEEE Magnetics Letters
  • 預計審稿周期：
國內分區信息：

大類學科：物理與天體物理  中科院分區  4區

國際分區信息：

JCR學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC、PHYSICS, APPLIED  JCR分區  Q4

  • 影響因子：1.1
  • Gold OA文章占比：18.31%
  • OA被引用占比：0.0183...
  • CiteScore：2.4
  • 研究類文章占比：100.00%
  • 開源占比：0.2229
  • 出版國人文章占比：0.12

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Ieee Magnetics Letters 期刊簡介

Ieee Magnetics Letters是物理與天體物理領域的一本優秀期刊。由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社出版。該期刊主要發表物理與天體物理領域的原創性研究成果。創刊于2010年，該期刊主要刊載PHYSICS, APPLIED及其基礎研究的前瞻性、原始性、首創性研究成果、科技成就和進展。該期刊不僅收錄了該領域的科技成就和進展，更以其深厚的學術積淀和卓越的審稿標準，確保每篇文章都具備高度的學術價值。此外，該刊同時被SCIE數據庫收錄，并被劃分為中科院SCI4區期刊，它始終堅持創新，不斷專注于發布高度有價值的研究成果，不斷推動物理與天體物理領域的進步。

同時，我們注重來稿文章表述的清晰度，以及其與我們的讀者群體和研究領域的相關性。為此，我們期待所有投稿的文章能夠保持簡潔明了、組織有序、表述清晰。該期刊平均審稿速度為平均 。若您對于稿件是否適合該期刊存在疑慮，建議您在提交前主動與期刊主編取得聯系，或咨詢本站的客服老師。我們的客服老師將根據您的研究內容和方向，為您推薦最為合適的期刊，助力您順利投稿，實現學術成果的順利發表。

Ieee Magnetics Letters 期刊國內分區信息

中科院分區 2023年12月升級版
大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 4區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 4區 4區 否 否
中科院分區 2022年12月升級版
大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 4區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 4區 4區 否 否
中科院分區 2021年12月舊的升級版
大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 4區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 4區 4區 否 否
中科院分區 2021年12月基礎版
大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
物理 4區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 4區 4區 否 否
中科院分區 2021年12月升級版
大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 4區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 4區 4區 否 否
中科院分區 2020年12月舊的升級版
大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 4區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 4區 4區 否 否

Ieee Magnetics Letters 期刊國際分區信息（2023-2024年最新版）

按JIF指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 278 / 352

21.2%
學科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 152 / 179

15.4%
按JCI指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 284 / 354

19.92%
學科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 148 / 179

17.6%

CiteScore指數（2024年最新版）

  • CiteScore：2.4
  • SJR：0.314
  • SNIP：0.505
學科類別 分區 排名 百分位
大類：Materials Science 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials Q3 189 / 284

33%

期刊評價數據趨勢圖

中科院分區趨勢圖
期刊影響因子和自引率趨勢圖

發文統計

年發文量統計
年份 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023
年發文量 26 49 67 88 72 92 66 48 61 33
國家/地區發文量統計
國家/地區 數量
USA 66
CHINA MAINLAND 41
Russia 34
Japan 22
GERMANY (FED REP GER) 16
South Korea 12
Spain 12
France 11
India 11
Italy 9
機構發文量統計
機構 數量
RUSSIAN ACADEMY OF SCIENCES 17
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) 8
LOMONOSOV MOSCOW STATE UNIVERSITY 8
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 6
IMMANUEL KANT BALTIC FEDERAL UNIVERSITY 6
KOTELNIKOV INSTITUTE OF RADIOENGINEERING & ELECTRONICS 6
PURDUE UNIVERSITY SYSTEM 6
AIR FORCE ENGINEERING UNIVERSITY 5
NORTHEASTERN UNIVERSITY 5
SOONGSIL UNIVERSITY 5

高引用文章

文章名稱 引用次數
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Experimental Validation of a Frequency-Selective Surface-Loaded Hybrid Metamaterial Absorber With Wide Bandwidth 10
Low-Barrier Magnet Design for Efficient Hardware Binary Stochastic Neurons 9
Equivalent Circuit Model for the Design of Frequency-Selective, Terahertz-Ban Graphene-Based Metamaterial Absorbers 7
Area-Efficient Nonvolatile Flip-Flop Based on Spin Hall Effect 7
Concurrent Core Loss Suppression and High Permeability by Introduction of Highly Insulating Intergranular Magnetic Inclusions to MnZn Ferrite 6
Reliability and Scalability of p-Bits Implemented With Low Energy Barrier Nanomagnets 5
Area-Efficient Multibit-per-Cell Architecture for Spin-Orbit-Torque Magnetic Random-Access Memory With Dedicated Diodes 5
Micromagnetic Analysis of Statistical Switching in Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions With Double Reference Layers 5
Reliable Five-Nanosecond Writing of Spin-Transfer Torque Magnetic Random-Access Memory 5

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