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Journal Of Semiconductor Technology And Science是工程技術領域的一本優秀期刊。由Institute of Electronics Engineers of Korea出版社出版。該期刊主要發表工程技術領域的原創性研究成果。創刊于2001年，該期刊主要刊載ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC-PHYSICS, APPLIED及其基礎研究的前瞻性、原始性、首創性研究成果、科技成就和進展。該期刊不僅收錄了該領域的科技成就和進展，更以其深厚的學術積淀和卓越的審稿標準，確保每篇文章都具備高度的學術價值。此外，該刊同時被SCIE數據庫收錄，并被劃分為中科院SCI4區期刊，它始終堅持創新，不斷專注于發布高度有價值的研究成果，不斷推動工程技術領域的進步。
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| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 4區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 | 4區 4區 | 否 | 否 |
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 4區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 | 4區 4區 | 否 | 否 |
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 4區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 | 4區 4區 | 否 | 否 |
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 4區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 | 4區 4區 | 否 | 否 |
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 4區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 | 4區 4區 | 否 | 否 |
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 4區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 | 4區 4區 | 否 | 否 |
| 按JIF指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
| 學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q4 | 329 / 352 |
6.7% |
| 學科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q4 | 175 / 179 |
2.5% |
| 按JCI指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
| 學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q4 | 342 / 354 |
3.53% |
| 學科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q4 | 176 / 179 |
1.96% |
| 學科類別 | 分區 | 排名 | 百分位 |
| 大類：Engineering 小類：Electrical and Electronic Engineering | Q4 | 654 / 797 |
18% |
| 大類：Engineering 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials | Q4 | 248 / 284 |
12% |
| 年份 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 |
| 年發文量 | 85 | 84 | 107 | 114 | 95 | 78 | 70 | 10 | 51 | 37 |
| 國家/地區 | 數量 |
| South Korea | 220 |
| CHINA MAINLAND | 14 |
| USA | 8 |
| India | 5 |
| Japan | 3 |
| Taiwan | 3 |
| Vietnam | 3 |
| England | 1 |
| Indonesia | 1 |
| Iran | 1 |
| 機構 | 數量 |
| HANYANG UNIVERSITY | 24 |
| HONGIK UNIVERSITY | 21 |
| SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (SNU) | 17 |
| KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE & TECHNOLOGY (KAIST) | 15 |
| CHUNGNAM NATIONAL UNIVERSITY | 14 |
| KWANGWOON UNIVERSITY | 14 |
| SAMSUNG | 14 |
| EWHA WOMANS UNIVERSITY | 12 |
| SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY (SKKU) | 12 |
| SOGANG UNIVERSITY | 10 |
| 文章名稱 | 引用次數 |
| A 4-Channel 8-Gb/s/ch VCSEL Driver Array | 4 |
| A Watt-level Broadband Power Amplifier in GaAs HBT Process | 4 |
| A 3-Gb/s Equalizer with an Adaptive Swing Controller for TFT-LCD Interfaces | 4 |
| Gallium Nitride PIN Avalanche Photodiode with Double-step Mesa Structure | 3 |
| Processing and Characterization of Ultra-thin Poly-crystalline Silicon for Memory and Logic Applications | 3 |
| Investigation on Phase-change Synapse Devices for More Gradual Switching | 3 |
| Properties of Resistive Switching in TiO2 Nanocluster-SiOx(x < 2) Matrix Structure | 3 |
| Xenon Flash Lamp Annealing on a-IGZO Thin-film Transistors at Different Pulse Repetition Numbers | 3 |
| Recessed AlGaN/GaN UV Phototransistor | 2 |
| Investigation of Wafer Warpage Induced by Multi-layer Films | 2 |
SCIE
影響因子 1.5
CiteScore 2.8
SCIE
影響因子 1.5
CiteScore 3.6
SCIE
CiteScore 8.9
SCIE
影響因子 0.5
CiteScore 1.8
SCIE
影響因子 2.2
CiteScore 6.5
SCIE
影響因子 0.4
CiteScore 2.2
SCIE SSCI
影響因子 4.1
CiteScore 7.1
SCIE SSCI
影響因子 0.9
CiteScore 1.5
SCIE SSCI
影響因子 12.5
CiteScore 22.1
SCIE
影響因子 4.5
CiteScore 8.1
若用戶需要出版服務，請聯系出版商：RM #907 SCIENCE & TECHNOLOGY NEW BLDG, 635-4 YUCKSAM-DONG, SEOUL, SOUTH KOREA, KANGNAM-KU, 135-703。