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International Journal Of Numerical Modelling-electronic Networks Devices And Fie是工程技術(shù)領(lǐng)域的一本優(yōu)秀期刊。由John Wiley and Sons Ltd出版社出版。該期刊主要發(fā)表工程技術(shù)領(lǐng)域的原創(chuàng)性研究成果。創(chuàng)刊于1988年,該期刊主要刊載工程技術(shù)-工程:電子與電氣及其基礎(chǔ)研究的前瞻性、原始性、首創(chuàng)性研究成果、科技成就和進(jìn)展。該期刊不僅收錄了該領(lǐng)域的科技成就和進(jìn)展,更以其深厚的學(xué)術(shù)積淀和卓越的審稿標(biāo)準(zhǔn),確保每篇文章都具備高度的學(xué)術(shù)價(jià)值。此外,該刊同時(shí)被SCIE數(shù)據(jù)庫(kù)收錄,并被劃分為中科院SCI4區(qū)期刊,它始終堅(jiān)持創(chuàng)新,不斷專注于發(fā)布高度有價(jià)值的研究成果,不斷推動(dòng)工程技術(shù)領(lǐng)域的進(jìn)步。
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大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATHEMATICS, INTERDISCIPLINARY APPLICATIONS 數(shù)學(xué)跨學(xué)科應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
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工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATHEMATICS, INTERDISCIPLINARY APPLICATIONS 數(shù)學(xué)跨學(xué)科應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
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工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATHEMATICS, INTERDISCIPLINARY APPLICATIONS 數(shù)學(xué)跨學(xué)科應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
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工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATHEMATICS, INTERDISCIPLINARY APPLICATIONS 數(shù)學(xué)跨學(xué)科應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
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工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATHEMATICS, INTERDISCIPLINARY APPLICATIONS 數(shù)學(xué)跨學(xué)科應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATHEMATICS, INTERDISCIPLINARY APPLICATIONS 數(shù)學(xué)跨學(xué)科應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 239 / 352 |
32.2% |
學(xué)科:MATHEMATICS, INTERDISCIPLINARY APPLICATIONS | SCIE | Q3 | 70 / 135 |
48.5% |
按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 200 / 354 |
43.64% |
學(xué)科:MATHEMATICS, INTERDISCIPLINARY APPLICATIONS | SCIE | Q3 | 82 / 135 |
39.63% |
學(xué)科類別 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
大類:Mathematics 小類:Modeling and Simulation | Q2 | 86 / 324 |
73% |
大類:Mathematics 小類:Electrical and Electronic Engineering | Q2 | 290 / 797 |
63% |
大類:Mathematics 小類:Computer Science Applications | Q2 | 342 / 817 |
58% |
年份 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 |
年發(fā)文量 | 75 | 60 | 87 | 74 | 106 | 117 | 221 | 120 | 95 | 105 |
國(guó)家/地區(qū) | 數(shù)量 |
CHINA MAINLAND | 111 |
India | 98 |
Iran | 50 |
USA | 32 |
France | 28 |
Italy | 26 |
GERMANY (FED REP GER) | 22 |
Iceland | 17 |
Turkey | 17 |
Poland | 14 |
機(jī)構(gòu) | 數(shù)量 |
NATIONAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY (NIT SYSTEM) | 35 |
UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE & TECHNOLOGY OF CHINA | 30 |
REYKJAVIK UNIVERSITY | 17 |
GDANSK UNIVERSITY OF TECHNOLOGY | 13 |
ISLAMIC AZAD UNIVERSITY | 13 |
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) | 11 |
TECHNICAL UNIVERSITY OF DARMSTADT | 10 |
SORBONNE UNIVERSITE | 9 |
TONGJI UNIVERSITY | 9 |
UNIVERSITE DE TUNIS-EL-MANAR | 9 |
文章名稱 | 引用次數(shù) |
A physics-based threshold voltage model for hetero-dielectric dual material gate Schottky barrier MOSFET | 33 |
Cognitive health care system and its application in pill-rolling assessment | 11 |
Design and analysis of multi-stage PID controller for frequency control in an islanded micro-grid using a novel hybrid whale optimization-pattern search algorithm | 9 |
Waveport modeling for the DGTD simulation of electromagnetic devices | 7 |
PSO-based SMC variable step size P&O MPPT controller for PV systems under fast changing atmospheric conditions | 6 |
A scalable and multibias parameter extraction method for a small-signal GaN HEMT model | 6 |
Accurate and efficient analysis of the upward heat flow in InGaP/GaAs HBTs through an automated FEM-based tool and Design of Experiments | 6 |
A nanoscale-modified junctionless with considerable progress on the electrical and thermal issue | 5 |
Beam steering of eye shape metamaterial design on dispersive media by FDTD method | 5 |
Pattern search approach to ferromagnetic material modelling | 5 |
SCIE
影響因子 1.5
CiteScore 2.8
SCIE
影響因子 1.5
CiteScore 3.6
SCIE
CiteScore 8.9
SCIE
影響因子 0.5
CiteScore 1.8
SCIE
影響因子 2.2
CiteScore 6.5
SCIE
影響因子 0.4
CiteScore 2.2
SCIE SSCI
影響因子 4.1
CiteScore 7.1
SCIE SSCI
影響因子 0.9
CiteScore 1.5
SCIE SSCI
影響因子 12.5
CiteScore 22.1
SCIE
影響因子 4.5
CiteScore 8.1
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