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Chalcogenide Letters是材料科學(xué)領(lǐng)域的一本優(yōu)秀期刊。由National Institute R and D of Materials Physics出版社出版。該期刊主要發(fā)表材料科學(xué)領(lǐng)域的原創(chuàng)性研究成果。創(chuàng)刊于2004年,該期刊主要刊載MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY-PHYSICS, APPLIED及其基礎(chǔ)研究的前瞻性、原始性、首創(chuàng)性研究成果、科技成就和進(jìn)展。該期刊不僅收錄了該領(lǐng)域的科技成就和進(jìn)展,更以其深厚的學(xué)術(shù)積淀和卓越的審稿標(biāo)準(zhǔn),確保每篇文章都具備高度的學(xué)術(shù)價(jià)值。此外,該刊同時(shí)被SCIE數(shù)據(jù)庫(kù)收錄,并被劃分為中科院SCI4區(qū)期刊,它始終堅(jiān)持創(chuàng)新,不斷專注于發(fā)布高度有價(jià)值的研究成果,不斷推動(dòng)材料科學(xué)領(lǐng)域的進(jìn)步。
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大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
材料科學(xué) | 4區(qū) | MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
材料科學(xué) | 4區(qū) | MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
材料科學(xué) | 4區(qū) | MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術(shù) | 4區(qū) | MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
材料科學(xué) | 4區(qū) | MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
材料科學(xué) | 4區(qū) | MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
學(xué)科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q4 | 362 / 438 |
17.5% |
學(xué)科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q4 | 146 / 179 |
18.7% |
按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
學(xué)科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q4 | 366 / 438 |
16.55% |
學(xué)科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q4 | 154 / 179 |
14.25% |
學(xué)科類別 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
大類:Physics and Astronomy 小類:General Physics and Astronomy | Q3 | 151 / 243 |
38% |
大類:Physics and Astronomy 小類:General Chemistry | Q3 | 272 / 408 |
33% |
大類:Physics and Astronomy 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials | Q3 | 206 / 284 |
27% |
年份 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 |
年發(fā)文量 | 72 | 78 | 63 | 69 | 71 | 68 | 70 | 86 | 86 | 92 |
國(guó)家/地區(qū) | 數(shù)量 |
India | 32 |
Saudi Arabia | 32 |
CHINA MAINLAND | 30 |
Malaysia | 20 |
Egypt | 19 |
Iraq | 18 |
Mexico | 12 |
Algeria | 9 |
Turkey | 9 |
Indonesia | 8 |
機(jī)構(gòu) | 數(shù)量 |
KING KHALID UNIVERSITY | 17 |
ASSIUT UNIVERSITY | 16 |
AL AZHAR UNIVERSITY | 15 |
UNIVERSITY OF BAGHDAD | 9 |
UNIVERSITI MALAYA | 7 |
AIRLANGGA UNIVERSITY | 6 |
UNIVERSIDAD DE SONORA | 6 |
UNIVERSITI KEBANGSAAN MALAYSIA | 6 |
UNIVERSITI PUTRA MALAYSIA | 6 |
KING ABDULAZIZ UNIVERSITY | 5 |
文章名稱 | 引用次數(shù) |
NUMERICAL MODELING ON PROSPECTIVE BUFFER LAYERS FOR TUNGSTEN DI-SULFIDE (WS2) SOLAR CELLS BY SCAPS-1D | 6 |
ENHANCED OPTICAL PERFORMANCE OF TELLURITE GLASS DOPED WITH SAMARIUM NANOPARTICLES FOR FIBER OPTICS APPLICATION | 5 |
EFFECT OF Sn ADDITION ON PHYSICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF Ge-Se-Sb-Sn THIN FILMS | 4 |
DENSE CHALCOPYRITE CuInSe2 THIN FILMS PREPARED WITH ETHANOL-BASED In2Se3-Cu+ INK | 4 |
SnS THIN FILMS DEPOSITION BY SPRAY PYROLYSIS: SOLVENT INFLUENCE | 4 |
SUPERSTRATE-TYPE Cu2ZnSnS4 SOLAR CELLS WITHOUT SULFURIZATION FABRICATED BY SPRAY PYROLYSIS | 3 |
INFLUENCE OF DEPOSITION PARAMETERS ON THE MORPHOLOGY, STRUCTURAL AND OPTICAL PROPERTIES OF Cu2ZnSnS4 THIN FILMS GROWN BY SOLVOTHERMAL METHOD | 3 |
THERMODYNAMIC PROPERTIES OF CuAlS2 WITH CHALCOPYRITE STRUCTURE FROM FIRST-PRINCIPLES CALCULATIONS | 3 |
REFUXING SYNTHESIS AND CHARACTERIZATION OF ZnS NANOPARTICLES AND THEIR PHOTOCATALYTIC PROPERTIES | 3 |
EFFECT OF SUBSTRATE SURFACE ON THE GROWTH OF SPRAY DEPOSITED Cu2ZnSnS4 THIN FILMS | 2 |
SCIE
CiteScore 2
SCIE
影響因子 15.3
CiteScore 21.9
SCIE
CiteScore 0.1
SCIE
CiteScore 10.3
SCIE
影響因子 0.8
CiteScore 1.3
SCIE
影響因子 14.8
CiteScore 13.8
SCIE
SCIE
影響因子 0.6
CiteScore 1.4
SCIE
影響因子 1.7
SCIE
影響因子 12.6
CiteScore 17.8
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