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Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics是工程技術領域的一本優秀期刊。由AMER SCIENTIFIC PUBLISHERS出版社出版。該期刊主要發表工程技術領域的原創性研究成果。創刊于2006年,該期刊主要刊載工程:電子與電氣-工程技術及其基礎研究的前瞻性、原始性、首創性研究成果、科技成就和進展。該期刊不僅收錄了該領域的科技成就和進展,更以其深厚的學術積淀和卓越的審稿標準,確保每篇文章都具備高度的學術價值。此外,該刊同時被SCIE數據庫收錄,并被劃分為中科院SCI4區期刊,它始終堅持創新,不斷專注于發布高度有價值的研究成果,不斷推動工程技術領域的進步。
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大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術 | 4區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 | 4區 4區 4區 | 否 | 否 |
大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術 | 4區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 | 4區 4區 4區 | 否 | 否 |
大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術 | 4區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 | 4區 4區 4區 | 否 | 否 |
大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術 | 4區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 | 4區 4區 4區 | 否 | 否 |
大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術 | 4區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 | 4區 4區 4區 | 否 | 否 |
大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術 | 4區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 | 4區 4區 4區 | 否 | 否 |
按JIF指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q4 | 319 / 352 |
9.5% |
學科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q4 | 134 / 140 |
4.6% |
學科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q4 | 171 / 179 |
4.7% |
按JCI指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q4 | 336 / 354 |
5.23% |
學科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q4 | 133 / 140 |
5.36% |
學科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q4 | 175 / 179 |
2.51% |
年份 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 |
年發文量 | 94 | 153 | 123 | 185 | 260 | 225 | 200 | 243 | 196 | 179 |
國家/地區 | 數量 |
CHINA MAINLAND | 322 |
India | 133 |
South Korea | 50 |
Saudi Arabia | 44 |
Iran | 41 |
Egypt | 31 |
Pakistan | 30 |
Malaysia | 27 |
Turkey | 26 |
Algeria | 24 |
機構 | 數量 |
NATIONAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY (NIT SYSTEM) | 47 |
ISLAMIC AZAD UNIVERSITY | 16 |
COMSATS UNIVERSITY ISLAMABAD (CUI) | 15 |
ZHENGZHOU UNIVERSITY OF LIGHT INDUSTRY | 15 |
CHONGQING UNIVERSITY | 14 |
UNIVERSITI TEKNOLOGI MALAYSIA | 14 |
KING KHALID UNIVERSITY | 12 |
KING SAUD UNIVERSITY | 10 |
ASSIUT UNIVERSITY | 9 |
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 9 |
文章名稱 | 引用次數 |
Investigation of Ta/NII-WO3/FTO Structures as a Semiconductor for the Future of Nanodevices | 10 |
A One Pot Room Temperature Synthesis of Pure and Zn Doped PbI2 Nanostructures and Their Structural, Morphological, Optical, Dielectric and Radiation Studies | 9 |
Electrical Sensor Based on Hollow ZnO Spheres for Hydrazine Detection | 8 |
Iron Oxide (Fe3O4)-Graphene Oxide (GO) Nanocomposites Based Li-Ion Batteries: Experimental and Theoretical Studies | 8 |
Hydrothermally Grown Copper-Doped ZnO Nanorods on Flexible Substrate | 7 |
High UV-to-Visible Rejection Ratio and Low Cost UV Photodetector Based on Co-Doped ZnO Nanorods Grown on Polyethylene Terephthalate Substrate | 6 |
Effect of the Electrolyte on Capacitive Behavior of Supercapacitor Electrodes | 6 |
On the Frequency-Voltage Dependence Profile of Complex Dielectric, Complex Electric Modulus and Electrical Conductivity in Al/ZnO/p-GaAs Type Structure at Room Temperature | 6 |
Comparative Analysis Among Single Material Gate, Double Material Gate, and Triple Material Gate FinFETs: RF/Analog and Digital Inverter Performance | 6 |
Flexible Sensors Based on Ag/Polyimide Substrates and Pd-ZnO Sensing Films | 6 |
SCIE
影響因子 1.5
CiteScore 2.8
SCIE
影響因子 1.5
CiteScore 3.6
SCIE
CiteScore 8.9
SCIE
影響因子 0.5
CiteScore 1.8
SCIE
影響因子 2.2
CiteScore 6.5
SCIE
影響因子 0.4
CiteScore 2.2
SCIE SSCI
影響因子 4.1
CiteScore 7.1
SCIE SSCI
影響因子 0.9
CiteScore 1.5
SCIE SSCI
影響因子 12.5
CiteScore 22.1
SCIE
影響因子 4.5
CiteScore 8.1
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