推薦合適期刊 投稿指導 助力快速見刊免費咨詢
Journal Of Crystal Growth是材料科學領域的一本優秀期刊。由Elsevier出版社出版。該期刊主要發表材料科學領域的原創性研究成果。創刊于1967年,該期刊主要刊載化學-晶體學及其基礎研究的前瞻性、原始性、首創性研究成果、科技成就和進展。該期刊不僅收錄了該領域的科技成就和進展,更以其深厚的學術積淀和卓越的審稿標準,確保每篇文章都具備高度的學術價值。此外,該刊同時被SCIE數據庫收錄,并被劃分為中科院SCI4區期刊,它始終堅持創新,不斷專注于發布高度有價值的研究成果,不斷推動材料科學領域的進步。
同時,我們注重來稿文章表述的清晰度,以及其與我們的讀者群體和研究領域的相關性。為此,我們期待所有投稿的文章能夠保持簡潔明了、組織有序、表述清晰。該期刊平均審稿速度為平均 約2.6個月 約10周。若您對于稿件是否適合該期刊存在疑慮,建議您在提交前主動與期刊主編取得聯系,或咨詢本站的客服老師。我們的客服老師將根據您的研究內容和方向,為您推薦最為合適的期刊,助力您順利投稿,實現學術成果的順利發表。
大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
材料科學 | 4區 | CRYSTALLOGRAPHY 晶體學 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學:綜合 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 | 3區 4區 4區 | 否 | 否 |
大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
材料科學 | 3區 | CRYSTALLOGRAPHY 晶體學 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學:綜合 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 | 3區 4區 4區 | 否 | 否 |
大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
材料科學 | 3區 | CRYSTALLOGRAPHY 晶體學 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學:綜合 | 3區 3區 4區 | 否 | 否 |
大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
物理 | 4區 | CRYSTALLOGRAPHY 晶體學 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學:綜合 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 | 4區 4區 4區 | 否 | 否 |
大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
材料科學 | 3區 | CRYSTALLOGRAPHY 晶體學 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學:綜合 | 3區 3區 4區 | 否 | 否 |
大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
材料科學 | 3區 | CRYSTALLOGRAPHY 晶體學 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學:綜合 | 3區 3區 4區 | 否 | 否 |
按JIF指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
學科:CRYSTALLOGRAPHY | SCIE | Q3 | 17 / 33 |
50% |
學科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q3 | 321 / 438 |
26.8% |
學科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 125 / 179 |
30.4% |
按JCI指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
學科:CRYSTALLOGRAPHY | SCIE | Q3 | 19 / 33 |
43.94% |
學科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q3 | 249 / 438 |
43.26% |
學科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 104 / 179 |
42.18% |
學科類別 | 分區 | 排名 | 百分位 |
大類:Physics and Astronomy 小類:Condensed Matter Physics | Q2 | 205 / 434 |
52% |
大類:Physics and Astronomy 小類:Inorganic Chemistry | Q2 | 40 / 79 |
50% |
大類:Physics and Astronomy 小類:Materials Chemistry | Q3 | 162 / 317 |
49% |
年份 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 |
年發文量 | 703 | 559 | 526 | 789 | 404 | 473 | 446 | 320 | 394 | 306 |
國家/地區 | 數量 |
CHINA MAINLAND | 389 |
Japan | 241 |
USA | 197 |
GERMANY (FED REP GER) | 136 |
Russia | 105 |
France | 72 |
India | 69 |
Taiwan | 33 |
Canada | 32 |
Poland | 31 |
機構 | 數量 |
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 101 |
RUSSIAN ACADEMY OF SCIENCES | 74 |
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) | 54 |
TOHOKU UNIVERSITY | 38 |
UNITED STATES DEPARTMENT OF ENERGY (DOE) | 37 |
NAGOYA UNIVERSITY | 33 |
COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE ALPES | 30 |
LEIBNIZ INSTITUT FUR KRISTALLZUCHTUNG (IKZ) | 29 |
NORTHWESTERN POLYTECHNICAL UNIVERSITY | 21 |
OSAKA UNIVERSITY | 21 |
文章名稱 | 引用次數 |
Improvement mechanism of sputtered AlN films by high-temperature annealing | 18 |
Heteroepitaxial growth of alpha beta gamma- and kappa-Ga2O3 phases by metalorganic vapor phase epitaxy | 17 |
Synthesis and single crystal growth of perovskite semiconductor CsPbBr3 | 15 |
Doping of Czochralski-grown bulk beta-Ga2O3 single crystals with Cr, Ce and Al | 14 |
Crystal growth and scintillation performance of Cs2HfCl6 and Cs2HfCl4Br2 | 11 |
Competitive grain growth and dendrite morphology evolution in selective laser melting of Inconel 718 superalloy | 10 |
Microstructure variation in thick AlInN films grown on c-plane GaN on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition | 10 |
Influence of aqueous Mg concentration on the transformation of amorphous calcium carbonate | 10 |
The effect of different amino acids on spontaneous precipitation of calcium carbonate polymorphs | 10 |
Epitaxial growth of undoped and Li-doped NiO thin films on alpha-Al2O3 substrates by mist chemical vapor deposition | 9 |
SCIE
CiteScore 2
SCIE
影響因子 15.3
CiteScore 21.9
SCIE
CiteScore 0.1
SCIE
CiteScore 10.3
SCIE
影響因子 0.8
CiteScore 1.3
SCIE
影響因子 14.8
CiteScore 13.8
SCIE
SCIE
影響因子 0.6
CiteScore 1.4
SCIE
影響因子 1.7
SCIE
影響因子 12.6
CiteScore 17.8
若用戶需要出版服務,請聯系出版商:ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, AMSTERDAM, NETHERLANDS, 1000 AE。