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Ieee Transactions On Nuclear Science是工程技術領域的一本優秀期刊。由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社出版。該期刊主要發表工程技術領域的原創性研究成果。創刊于1954年,該期刊主要刊載工程技術-工程:電子與電氣及其基礎研究的前瞻性、原始性、首創性研究成果、科技成就和進展。該期刊不僅收錄了該領域的科技成就和進展,更以其深厚的學術積淀和卓越的審稿標準,確保每篇文章都具備高度的學術價值。此外,該刊同時被SCIE數據庫收錄,并被劃分為中科院SCI3區期刊,它始終堅持創新,不斷專注于發布高度有價值的研究成果,不斷推動工程技術領域的進步。
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大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術 | 3區 | NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學技術 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 | 2區 3區 | 否 | 否 |
大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術 | 3區 | NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學技術 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 | 1區 3區 | 否 | 否 |
大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術 | 3區 | NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學技術 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 | 2區 3區 | 否 | 否 |
大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術 | 4區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學技術 | 4區 3區 | 否 | 否 |
大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術 | 3區 | NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學技術 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 | 2區 3區 | 否 | 否 |
大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術 | 3區 | NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學技術 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 | 1區 3區 | 是 | 否 |
按JIF指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 211 / 352 |
40.2% |
學科:NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY | SCIE | Q1 | 10 / 40 |
76.3% |
按JCI指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 149 / 354 |
58.05% |
學科:NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY | SCIE | Q2 | 13 / 40 |
68.75% |
學科類別 | 分區 | 排名 | 百分位 |
大類:Energy 小類:Nuclear Energy and Engineering | Q2 | 23 / 77 |
70% |
大類:Energy 小類:Nuclear and High Energy Physics | Q2 | 31 / 87 |
64% |
大類:Energy 小類:Electrical and Electronic Engineering | Q2 | 361 / 797 |
54% |
年份 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 |
年發文量 | 499 | 381 | 363 | 381 | 376 | 289 | 320 | 331 | 282 | 330 |
國家/地區 | 數量 |
USA | 331 |
CHINA MAINLAND | 200 |
France | 185 |
Italy | 105 |
Switzerland | 95 |
Japan | 78 |
GERMANY (FED REP GER) | 53 |
South Korea | 44 |
England | 41 |
Russia | 37 |
機構 | 數量 |
UNITED STATES DEPARTMENT OF ENERGY (DOE) | 105 |
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 100 |
VANDERBILT UNIVERSITY | 93 |
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) | 80 |
EUROPEAN ORGANIZATION FOR NUCLEAR RESEARCH (CERN) | 76 |
CEA | 73 |
ISTITUTO NAZIONALE DI FISICA NUCLEARE (INFN) | 58 |
UNIVERSITE DE TOULOUSE | 34 |
UNIVERSITE DE MONTPELLIER | 31 |
UNITED STATES DEPARTMENT OF DEFENSE | 29 |
文章名稱 | 引用次數 |
Needs, Trends, and Advances in Inorganic Scintillators | 53 |
Evolution of Total Ionizing Dose Effects in MOS Devices With Moore's Law Scaling | 15 |
Contribution of Thermal Neutrons to Soft Error Rate | 12 |
Displacement Damage in Silicon Detectors for High Energy Physics | 11 |
Improvement of the Time Resolution of Radiation Detectors Based on Gd3Al2Ga3O12 Scintillators With SiPM Readout | 11 |
Influence of LDD Spacers and H+ Transport on the Total-Ionizing-Dose Response of 65-nm MOSFETs Irradiated to Ultrahigh Doses | 9 |
LHC and HL-LHC: Present and Future Radiation Environment in the High-Luminosity Collision Points and RHA Implications | 9 |
Thin Silicon Microdosimeter Utilizing 3-D MEMS Fabrication Technology: Charge Collection Study and Its Application in Mixed Radiation Fields | 9 |
Luminescence and Scintillation Properties of Novel Disodium Dimolybdate (Na2Mo2O7) Single Crystal | 9 |
Single-Event Burnout Mechanisms in SiC Power MOSFETs | 8 |
SCIE
影響因子 1.5
CiteScore 2.8
SCIE
影響因子 1.5
CiteScore 3.6
SCIE
CiteScore 8.9
SCIE
影響因子 0.5
CiteScore 1.8
SCIE
影響因子 2.2
CiteScore 6.5
SCIE
影響因子 0.4
CiteScore 2.2
SCIE SSCI
影響因子 4.1
CiteScore 7.1
SCIE SSCI
影響因子 0.9
CiteScore 1.5
SCIE SSCI
影響因子 12.5
CiteScore 22.1
SCIE
影響因子 4.5
CiteScore 8.1
若用戶需要出版服務,請聯系出版商:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。