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Ieee Transactions On Nuclear Science
人氣:40

Ieee Transactions On Nuclear Science SCIE

  • ISSN:0018-9499
  • 出版商:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
  • 出版語言:English
  • E-ISSN:1558-1578
  • 出版地區:UNITED STATES
  • 是否預警:
  • 創刊時間:1954
  • 出版周期:Bimonthly
  • TOP期刊:
  • 影響因子:1.9
  • 是否OA:未開放
  • CiteScore:3.7
  • H-index:110
  • 研究類文章占比:99.70%
  • Gold OA文章占比:16.44%
  • 文章自引率:0.2777...
  • 開源占比:0.1597
  • 出版國人文章占比:0.13
  • 出版修正文章占比:0.0031...
  • 國際標準簡稱:IEEE T NUCL SCI
  • 涉及的研究方向:工程技術-工程:電子與電氣
  • 中文名稱:IEEE核科學匯刊
  • 預計審稿周期: 約3.0個月
國內分區信息:

大類學科:工程技術  中科院分區  3區

國際分區信息:

JCR學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC、NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY  JCR分區  Q1

  • 影響因子:1.9
  • Gold OA文章占比:16.44%
  • CiteScore:3.7
  • 研究類文章占比:99.70%
  • 開源占比:0.1597
  • 文章自引率:0.2777...
  • 出版國人文章占比:0.13

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Ieee Transactions On Nuclear Science 期刊簡介

Ieee Transactions On Nuclear Science是工程技術領域的一本優秀期刊。由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社出版。該期刊主要發表工程技術領域的原創性研究成果。創刊于1954年,該期刊主要刊載工程技術-工程:電子與電氣及其基礎研究的前瞻性、原始性、首創性研究成果、科技成就和進展。該期刊不僅收錄了該領域的科技成就和進展,更以其深厚的學術積淀和卓越的審稿標準,確保每篇文章都具備高度的學術價值。此外,該刊同時被SCIE數據庫收錄,并被劃分為中科院SCI3區期刊,它始終堅持創新,不斷專注于發布高度有價值的研究成果,不斷推動工程技術領域的進步。

同時,我們注重來稿文章表述的清晰度,以及其與我們的讀者群體和研究領域的相關性。為此,我們期待所有投稿的文章能夠保持簡潔明了、組織有序、表述清晰。該期刊平均審稿速度為平均 約3.0個月 。若您對于稿件是否適合該期刊存在疑慮,建議您在提交前主動與期刊主編取得聯系,或咨詢本站的客服老師。我們的客服老師將根據您的研究內容和方向,為您推薦最為合適的期刊,助力您順利投稿,實現學術成果的順利發表。

Ieee Transactions On Nuclear Science 期刊國內分區信息

中科院分區 2023年12月升級版
大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
工程技術 3區 NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學技術 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區 3區
中科院分區 2022年12月升級版
大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
工程技術 3區 NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學技術 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 1區 3區
中科院分區 2021年12月舊的升級版
大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
工程技術 3區 NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學技術 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區 3區
中科院分區 2021年12月基礎版
大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學技術 4區 3區
中科院分區 2021年12月升級版
大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
工程技術 3區 NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學技術 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區 3區
中科院分區 2020年12月舊的升級版
大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
工程技術 3區 NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學技術 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 1區 3區

Ieee Transactions On Nuclear Science 期刊國際分區信息(2023-2024年最新版)

按JIF指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 211 / 352

40.2%

學科:NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY SCIE Q1 10 / 40

76.3%

按JCI指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 149 / 354

58.05%

學科:NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY SCIE Q2 13 / 40

68.75%

CiteScore指數(2024年最新版)

  • CiteScore:3.7
  • SJR:0.537
  • SNIP:1.339
學科類別 分區 排名 百分位
大類:Energy 小類:Nuclear Energy and Engineering Q2 23 / 77

70%

大類:Energy 小類:Nuclear and High Energy Physics Q2 31 / 87

64%

大類:Energy 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 361 / 797

54%

期刊評價數據趨勢圖

中科院分區趨勢圖
期刊影響因子和自引率趨勢圖

發文統計

年發文量統計
年份 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023
年發文量 499 381 363 381 376 289 320 331 282 330
國家/地區發文量統計
國家/地區 數量
USA 331
CHINA MAINLAND 200
France 185
Italy 105
Switzerland 95
Japan 78
GERMANY (FED REP GER) 53
South Korea 44
England 41
Russia 37
機構發文量統計
機構 數量
UNITED STATES DEPARTMENT OF ENERGY (DOE) 105
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 100
VANDERBILT UNIVERSITY 93
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) 80
EUROPEAN ORGANIZATION FOR NUCLEAR RESEARCH (CERN) 76
CEA 73
ISTITUTO NAZIONALE DI FISICA NUCLEARE (INFN) 58
UNIVERSITE DE TOULOUSE 34
UNIVERSITE DE MONTPELLIER 31
UNITED STATES DEPARTMENT OF DEFENSE 29

高引用文章

文章名稱 引用次數
Needs, Trends, and Advances in Inorganic Scintillators 53
Evolution of Total Ionizing Dose Effects in MOS Devices With Moore's Law Scaling 15
Contribution of Thermal Neutrons to Soft Error Rate 12
Displacement Damage in Silicon Detectors for High Energy Physics 11
Improvement of the Time Resolution of Radiation Detectors Based on Gd3Al2Ga3O12 Scintillators With SiPM Readout 11
Influence of LDD Spacers and H+ Transport on the Total-Ionizing-Dose Response of 65-nm MOSFETs Irradiated to Ultrahigh Doses 9
LHC and HL-LHC: Present and Future Radiation Environment in the High-Luminosity Collision Points and RHA Implications 9
Thin Silicon Microdosimeter Utilizing 3-D MEMS Fabrication Technology: Charge Collection Study and Its Application in Mixed Radiation Fields 9
Luminescence and Scintillation Properties of Novel Disodium Dimolybdate (Na2Mo2O7) Single Crystal 9
Single-Event Burnout Mechanisms in SiC Power MOSFETs 8

免責聲明

若用戶需要出版服務,請聯系出版商:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。

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