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Applied Physics Express
人氣:18

Applied Physics Express SCIE

  • ISSN:1882-0778
  • 出版商:Japan Society of Applied Physics
  • 出版語言:English
  • E-ISSN:1882-0786
  • 出版地區(qū):JAPAN
  • 是否預(yù)警:
  • 創(chuàng)刊時(shí)間:2008
  • 出版周期:Monthly
  • TOP期刊:
  • 影響因子:2.3
  • 是否OA:未開放
  • CiteScore:4.8
  • H-index:79
  • 研究類文章占比:100.00%
  • Gold OA文章占比:15.21%
  • 文章自引率:0.0869...
  • 開源占比:0.1138
  • OA被引用占比:0.1629...
  • 出版國人文章占比:0.34
  • 出版修正文章占比:0.0066...
  • 國際標(biāo)準(zhǔn)簡稱:APPL PHYS EXPRESS
  • 涉及的研究方向:物理-物理:應(yīng)用
  • 中文名稱:應(yīng)用物理快報(bào)
  • 預(yù)計(jì)審稿周期: 約1.0個(gè)月
國內(nèi)分區(qū)信息:

大類學(xué)科:物理與天體物理  中科院分區(qū)  4區(qū)

國際分區(qū)信息:

JCR學(xué)科:PHYSICS, APPLIED  JCR分區(qū)  Q3

  • 影響因子:2.3
  • Gold OA文章占比:15.21%
  • OA被引用占比:0.1629...
  • CiteScore:4.8
  • 研究類文章占比:100.00%
  • 開源占比:0.1138
  • 文章自引率:0.0869...
  • 出版國人文章占比:0.34

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Applied Physics Express 期刊簡介

Applied Physics Express是物理與天體物理領(lǐng)域的一本優(yōu)秀期刊。由Japan Society of Applied Physics出版社出版。該期刊主要發(fā)表物理與天體物理領(lǐng)域的原創(chuàng)性研究成果。創(chuàng)刊于2008年,該期刊主要刊載物理-物理:應(yīng)用及其基礎(chǔ)研究的前瞻性、原始性、首創(chuàng)性研究成果、科技成就和進(jìn)展。該期刊不僅收錄了該領(lǐng)域的科技成就和進(jìn)展,更以其深厚的學(xué)術(shù)積淀和卓越的審稿標(biāo)準(zhǔn),確保每篇文章都具備高度的學(xué)術(shù)價(jià)值。此外,該刊同時(shí)被SCIE數(shù)據(jù)庫收錄,并被劃分為中科院SCI4區(qū)期刊,它始終堅(jiān)持創(chuàng)新,不斷專注于發(fā)布高度有價(jià)值的研究成果,不斷推動(dòng)物理與天體物理領(lǐng)域的進(jìn)步。

同時(shí),我們注重來稿文章表述的清晰度,以及其與我們的讀者群體和研究領(lǐng)域的相關(guān)性。為此,我們期待所有投稿的文章能夠保持簡潔明了、組織有序、表述清晰。該期刊平均審稿速度為平均 約1.0個(gè)月 。若您對(duì)于稿件是否適合該期刊存在疑慮,建議您在提交前主動(dòng)與期刊主編取得聯(lián)系,或咨詢本站的客服老師。我們的客服老師將根據(jù)您的研究內(nèi)容和方向,為您推薦最為合適的期刊,助力您順利投稿,實(shí)現(xiàn)學(xué)術(shù)成果的順利發(fā)表。

Applied Physics Express 期刊國內(nèi)分區(qū)信息

中科院分區(qū) 2023年12月升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 4區(qū) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū)
中科院分區(qū) 2022年12月升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 3區(qū) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū)
中科院分區(qū) 2021年12月舊的升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 3區(qū) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū)
中科院分區(qū) 2021年12月基礎(chǔ)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理 3區(qū) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū)
中科院分區(qū) 2021年12月升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 3區(qū) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū)
中科院分區(qū) 2020年12月舊的升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 3區(qū) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū)

Applied Physics Express 期刊國際分區(qū)信息(2023-2024年最新版)

按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 100 / 179

44.4%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 95 / 179

47.21%

CiteScore指數(shù)(2024年最新版)

  • CiteScore:4.8
  • SJR:0.487
  • SNIP:0.817
學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類:Engineering 小類:General Engineering Q2 77 / 307

74%

大類:Engineering 小類:General Physics and Astronomy Q2 72 / 243

70%

期刊評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)趨勢(shì)圖

中科院分區(qū)趨勢(shì)圖
期刊影響因子和自引率趨勢(shì)圖

發(fā)文統(tǒng)計(jì)

年發(fā)文量統(tǒng)計(jì)
年份 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023
年發(fā)文量 419 386 391 340 379 561 457 375 344 311
國家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)
國家/地區(qū) 數(shù)量
Japan 706
CHINA MAINLAND 582
USA 110
South Korea 54
France 29
GERMANY (FED REP GER) 25
Taiwan 25
England 22
Russia 18
Singapore 18
機(jī)構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)
機(jī)構(gòu) 數(shù)量
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 119
UNIVERSITY OF TOKYO 96
OSAKA UNIVERSITY 87
NAGOYA UNIVERSITY 81
NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE & TECHNOLOGY (AIST) 71
TOHOKU UNIVERSITY 69
KYOTO UNIVERSITY 67
NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE 60
TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY 59
UNIVERSITY OF TSUKUBA 48

高引用文章

文章名稱 引用次數(shù)
Indication of current-injection lasing from an organic semiconductor 51
A 271.8 nm deep-ultraviolet laser diode for room temperature operation 48
Hybrid quantum systems based on magnonics 47
U-shaped photonic quasi-crystal fiber sensor with high sensitivity based on surface plasmon resonance 29
Omnidirectional tunable terahertz analog of electromagnetically induced transparency realized by isotropic vanadium dioxide metasurfaces 28
High external quantum efficiency (10%) AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes achieved by using highly reflective photonic crystal on p-AlGaN contact layer 20
Low-pressure CVD-grown beta-Ga2O3 bevel-field-plated Schottky barrier diodes 20
Reduction of threading dislocation density and suppression of cracking in sputter-deposited AIN templates annealed at high temperatures 19
Design and exploration of semiconductors from first principles: A review of recent advances 19
Three-dimensional imaging of threading dislocations in GaN crystals using two-photon excitation photoluminescence 18

免責(zé)聲明

若用戶需要出版服務(wù),請(qǐng)聯(lián)系出版商:JAPAN SOC APPLIED PHYSICS, KUDAN-KITA BUILDING 5TH FLOOR, 1-12-3 KUDAN-KITA, CHIYODA-KU, TOKYO, JAPAN, 102-0073。

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