《Journal of Semiconductors》1980年創刊?,F為月刊,每期190頁左右,國內外公開發行。每期均有英文目次,每篇中文論文均有英文摘要。主編為王守武院士。主要讀者對象是從事半導體科學研究、技術開發、生產及相關學科的科技人員、管理人員和大專院校的師生。
《Journal of Semiconductors》報道半導體物理學、半導體科學技術和相關科學技術領域內新的科研成果和技術進展,內容包括半導體超晶格和微結構物理,半導體材料物理,包括量子點和量子線等材料在內的新型半導體材料的生長及性質測試,半導體器件物理,新型半導體器件,集成電路的CAD設計和研制,新工藝,半導體光電子器件和光電集成,與半導體器件相關的薄膜生長工藝,性質和應用等等。本刊與物理類期刊和電子類期刊不同,是以半導體和相關材料為中心的,從物理,材料,器件到應用的,從研究到技術開發的,跨越物理和信息兩個學科的綜合性學術刊物,發表中、英文稿件。
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1、稿件應觀點明確,數據,言簡意賅,重點突出。與本文內容類似或密切相關的已,應列入參考文獻,以示尊重,并避免重復。通欄排版,單面間行打印。中文文章需含英文的題目、作者、作者單位、摘要和關鍵詞;英文文章需含中文的題目、作者、作者單位、摘要和關鍵詞。
2、題目、作者、單位和摘要:題目應簡潔、,不宜太長,中文題目不宜超過20個字,外文題目不宜超過10個實詞。文章的作者署名在投稿時應明確,以后不宜更改。作者單位需寫出全稱、所在城市和郵政編碼。摘要應語義確切,表述簡明,宜用第三人稱寫明論文的目的、方法、結果和結論。
3、中英文關鍵詞、PACC、EEACC或CCACC:應給出反映文章特征內容,通用性比較強的中英文對應關鍵詞3~6個;PACC、EEACC或CCACC專業代碼1~3個。
4、基金及批準號:若文章得到省、部級以上基金資助,應給出基金的中、英文全稱及批準號。
5、縮略詞、符號及計量單位:摘要和正文中的縮略詞在及時次出現時都必須寫出全稱。外文字母、符號必須分清大小寫,正、斜體,上、下角,容易混淆的字母、符號等在及時次出現時,請用鉛筆注明。計量單位請用國家法定計量單位,全文文種要始終一致。
6、圖、表、照片:圖和照片按出現先后順序編號,圖的整個寬度以70mm或140mm規格為宜,圖框宜細,刻度向里,曲線略粗,墨色要黑,線條要勻,圖中文字應與正文一致。照片要求黑白反差大,層次清晰,不接受彩色圖和彩色照片。表格應簡潔、明確,宜用三線表。
7、參考文獻:參考文獻按在正文中出現的順序編號,用方括號括住置引文處右上角,并與文末參考文獻序碼對應一致。請勿引用尚未公開發表的資料。中文參考文獻需附相應的英譯。參考文獻格式著錄項目應齊全。
期刊的格式為:作者(列前三名).題目.刊名,年份,卷(期):頁碼
8、評審:來稿將送有關專家審閱。中文稿需3個月、英文稿需2個月左右才能收到修改意見和初步錄用意見。作者在收到修改意見后,在3周內須將修改稿和軟盤(可用Email稿代替)寄回編輯部。延期返回的稿件將被更改收文日期;超過3個月未返回修改稿作撤稿處理??桥c否由編委會審定。不擬刊登之稿,會盡快函告作者。
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學者姓名 | 發文量 | 主要研究主題 |
郝躍 | 91 | 心勢壘層;電極;場板;高電子遷移率晶體管;氮化鎵 |
曾一平 | 88 | 心分子束外延;襯底;碳化硅;氮化鎵;緩沖層 |
王占國 | 76 | 心量子點;量子級聯激光器;砷化鎵;襯底;分子束外延 |
王陽元 | 73 | 心場效應晶體管;邏輯器件;溝道;SOI;集成電路 |
劉新宇 | 67 | 心氮化鎵;刻蝕;歐姆接觸;襯底;ALGAN/GAN |
李晉閩 | 66 | 心氮化鎵;發光二極管;襯底;多量子阱;GAN |
洪先龍 | 61 | 心集成電路;VLSI;布線;總體布線;超大規模集成電路 |
鄭有炓 | 60 | 心GAN;氮化鎵;襯底;藍寶石;MOCVD |
陳良惠 | 58 | 心半導體激光器;光子晶體;垂直腔面發射激光器;激光器;量子阱激光器 |
黃慶安 | 57 | 心MEMS;風速風向傳感器;無源無線;微機電系統;微電子機械系統 |
機構名稱 | 發文量 | 主要研究主題 |
中國科學院 | 1375 | 半導體;激光;激光器;砷化鎵;GAAS |
清華大學 | 433 | 電路;集成電路;CMOS;半導體;VLSI |
復旦大學 | 371 | 電路;硅;半導體;集成電路;CMOS |
北京大學 | 369 | 半導體;MOSFET;電路;硅;發光 |
中國科學院微電子研究所 | 256 | 晶體管;電路;SOI;HEMT;INGAP/GAAS_HBT |
西安電子科技大學 | 217 | 電路;晶體管;4H-SIC;集成電路;MOSFET |
浙江大學 | 208 | 單晶;直拉硅;硅;氧沉淀;硅單晶 |
東南大學 | 161 | CMOS;MEMS;感器;半導體;傳感 |
南京大學 | 125 | 發光;光致;光致發光;半導體;硅 |
電子科技大學 | 123 | 擊穿電壓;LDMOS;RESURF;電路;耐壓 |
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Journal of Semiconductors雜志的審稿周期還算比較快,工作人員相當的認真負責。兩個審稿人意見都給予肯定,修改完直接錄用,編輯修改非常細致,對文章的格式和標點都會認真校對。真的是一個很不錯的雜志
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