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Journal of Semiconductors雜志簡介

《Journal of Semiconductors》1980年創刊?,F為月刊,每期190頁左右,國內外公開發行。每期均有英文目次,每篇中文論文均有英文摘要。主編為王守武院士。主要讀者對象是從事半導體科學研究、技術開發、生產及相關學科的科技人員、管理人員和大專院校的師生。

《Journal of Semiconductors》報道半導體物理學、半導體科學技術和相關科學技術領域內新的科研成果和技術進展,內容包括半導體超晶格和微結構物理,半導體材料物理,包括量子點和量子線等材料在內的新型半導體材料的生長及性質測試,半導體器件物理,新型半導體器件,集成電路的CAD設計和研制,新工藝,半導體光電子器件和光電集成,與半導體器件相關的薄膜生長工藝,性質和應用等等。本刊與物理類期刊和電子類期刊不同,是以半導體和相關材料為中心的,從物理,材料,器件到應用的,從研究到技術開發的,跨越物理和信息兩個學科的綜合性學術刊物,發表中、英文稿件。

雜志欄目設置

研究快報 研究論文 研究簡報 技術進展 

Journal of Semiconductors雜志特色

1、稿件應觀點明確,數據,言簡意賅,重點突出。與本文內容類似或密切相關的已,應列入參考文獻,以示尊重,并避免重復。通欄排版,單面間行打印。中文文章需含英文的題目、作者、作者單位、摘要和關鍵詞;英文文章需含中文的題目、作者、作者單位、摘要和關鍵詞。

2、題目、作者、單位和摘要:題目應簡潔、,不宜太長,中文題目不宜超過20個字,外文題目不宜超過10個實詞。文章的作者署名在投稿時應明確,以后不宜更改。作者單位需寫出全稱、所在城市和郵政編碼。摘要應語義確切,表述簡明,宜用第三人稱寫明論文的目的、方法、結果和結論。

3、中英文關鍵詞、PACC、EEACC或CCACC:應給出反映文章特征內容,通用性比較強的中英文對應關鍵詞3~6個;PACC、EEACC或CCACC專業代碼1~3個。

4、基金及批準號:若文章得到省、部級以上基金資助,應給出基金的中、英文全稱及批準號。

5、縮略詞、符號及計量單位:摘要和正文中的縮略詞在及時次出現時都必須寫出全稱。外文字母、符號必須分清大小寫,正、斜體,上、下角,容易混淆的字母、符號等在及時次出現時,請用鉛筆注明。計量單位請用國家法定計量單位,全文文種要始終一致。

6、圖、表、照片:圖和照片按出現先后順序編號,圖的整個寬度以70mm或140mm規格為宜,圖框宜細,刻度向里,曲線略粗,墨色要黑,線條要勻,圖中文字應與正文一致。照片要求黑白反差大,層次清晰,不接受彩色圖和彩色照片。表格應簡潔、明確,宜用三線表。

7、參考文獻:參考文獻按在正文中出現的順序編號,用方括號括住置引文處右上角,并與文末參考文獻序碼對應一致。請勿引用尚未公開發表的資料。中文參考文獻需附相應的英譯。參考文獻格式著錄項目應齊全。

期刊的格式為:作者(列前三名).題目.刊名,年份,卷(期):頁碼

8、評審:來稿將送有關專家審閱。中文稿需3個月、英文稿需2個月左右才能收到修改意見和初步錄用意見。作者在收到修改意見后,在3周內須將修改稿和軟盤(可用Email稿代替)寄回編輯部。延期返回的稿件將被更改收文日期;超過3個月未返回修改稿作撤稿處理??桥c否由編委會審定。不擬刊登之稿,會盡快函告作者。

Journal of Semiconductors雜志數據統計

年度被引次數報告

2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022

本刊文章見刊的年份

2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005 2004 2003

在2012年的被引次數

17 63 83 63 90 98 91 78 46 38

被本刊自己引用的次數

12 35 40 23 20 13 13 12 1 2

被引次數的累積百分比

0.0219 0.1031 0.2101 0.2912 0.4072 0.5335 0.6508 0.7513 0.8106 0.8595

本刊文章見刊的年份

2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005 2004

在2013年的被引次數

31 78 81 61 47 66 68 88 68 26

被本刊自己引用的次數

24 52 41 33 25 8 11 12 8 2

被引次數的累積百分比

0.0405 0.1425 0.2484 0.3281 0.3895 0.4758 0.5647 0.6797 0.7686 0.8026

本刊文章見刊的年份

2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005

在2014年的被引次數

28 119 88 82 59 41 74 83 64 53

被本刊自己引用的次數

18 77 60 39 28 16 15 12 17 7

被引次數的累積百分比

0.0343 0.1801 0.288 0.3885 0.4608 0.511 0.6017 0.7034 0.7819 0.8468

本刊文章見刊的年份

2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006

在2015年的被引次數

16 86 103 72 56 40 34 54 56 57

被本刊自己引用的次數

12 51 62 35 24 25 10 10 5 8

被引次數的累積百分比

0.0208 0.1325 0.2662 0.3597 0.4325 0.4844 0.5286 0.5987 0.6714 0.7455

本刊文章見刊的年份

2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007

在2016年的被引次數

20 169 119 80 51 50 42 25 45 43

被本刊自己引用的次數

10 123 85 39 20 15 18 10 1 3

被引次數的累積百分比

0.0234 0.2211 0.3602 0.4538 0.5135 0.5719 0.6211 0.6503 0.7029 0.7532

本刊文章見刊的年份

2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008

在2017年的被引次數

8 97 127 70 46 29 37 21 14 41

被本刊自己引用的次數

3 48 52 29 16 5 9 4 3 0

被引次數的累積百分比

0.0119 0.1558 0.3442 0.4481 0.5163 0.5593 0.6142 0.6454 0.6662 0.727

本刊文章見刊的年份

2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009

在2018年的被引次數

1 47 57 64 32 34 16 17 16 14

被本刊自己引用的次數

1 13 17 15 4 6 1 6 4 4

被引次數的累積百分比

0.002 0.0962 0.2104 0.3387 0.4028 0.4709 0.503 0.5371 0.5691 0.5972

本刊文章見刊的年份

2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010

在2019年的被引次數

10 43 37 23 32 21 20 15 13 13

被本刊自己引用的次數

5 11 9 7 1 2 0 1 1 3

被引次數的累積百分比

0.026 0.1377 0.2338 0.2935 0.3766 0.4312 0.4831 0.5221 0.5558 0.5896

本刊文章見刊的年份

2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011

在2020年的被引次數

16 25 39 23 8 9 5 15 8 11

被本刊自己引用的次數

14 8 5 6 3 0 1 4 2 1

被引次數的累積百分比

0.0573 0.147 0.2867 0.3692 0.3978 0.4301 0.448 0.5018 0.5305 0.5699

本刊文章見刊的年份

2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012

在2021年的被引次數

58 25 50 43 12 6 12 12 9 7

被本刊自己引用的次數

48 14 20 16 5 0 3 2 0 0

被引次數的累積百分比

0.1568 0.2243 0.3595 0.4757 0.5081 0.5243 0.5568 0.5892 0.6135 0.6324

本刊文章見刊的年份

2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013

在2022年的被引次數

5 29 25 12 13 5 4 8 0 2

被本刊自己引用的次數

5 8 9 2 2 0 0 2 0 0

被引次數的累積百分比

0.0238 0.1619 0.281 0.3381 0.4 0.4238 0.4429 0.481 0.481 0.4905
主要參考文獻期刊分析
被引次數
影響因子
*指該期刊近兩年文獻的平均 被引用率,即該期刊前兩年論文在評價當年每篇論文被引用的平均次數
主要發文學者分析
學者姓名 發文量 主要研究主題
郝躍 91 心勢壘層;電極;場板;高電子遷移率晶體管;氮化鎵
曾一平 88 心分子束外延;襯底;碳化硅;氮化鎵;緩沖層
王占國 76 心量子點;量子級聯激光器;砷化鎵;襯底;分子束外延
王陽元 73 心場效應晶體管;邏輯器件;溝道;SOI;集成電路
劉新宇 67 心氮化鎵;刻蝕;歐姆接觸;襯底;ALGAN/GAN
李晉閩 66 心氮化鎵;發光二極管;襯底;多量子阱;GAN
洪先龍 61 心集成電路;VLSI;布線;總體布線;超大規模集成電路
鄭有炓 60 心GAN;氮化鎵;襯底;藍寶石;MOCVD
陳良惠 58 心半導體激光器;光子晶體;垂直腔面發射激光器;激光器;量子阱激光器
黃慶安 57 心MEMS;風速風向傳感器;無源無線;微機電系統;微電子機械系統
主要發文機構分析
機構名稱 發文量 主要研究主題
中國科學院 1375 半導體;激光;激光器;砷化鎵;GAAS
清華大學 433 電路;集成電路;CMOS;半導體;VLSI
復旦大學 371 電路;硅;半導體;集成電路;CMOS
北京大學 369 半導體;MOSFET;電路;硅;發光
中國科學院微電子研究所 256 晶體管;電路;SOI;HEMT;INGAP/GAAS_HBT
西安電子科技大學 217 電路;晶體管;4H-SIC;集成電路;MOSFET
浙江大學 208 單晶;直拉硅;硅;氧沉淀;硅單晶
東南大學 161 CMOS;MEMS;感器;半導體;傳感
南京大學 125 發光;光致;光致發光;半導體;硅
電子科技大學 123 擊穿電壓;LDMOS;RESURF;電路;耐壓

網友評論

來自wangsho**的評論:

拓展知識也可以,當作閱讀讀物也可以。學校圖書館需要這種書籍來為學生們的知識拓展,隨時更新這種雜志,能夠不斷的學習拓展知識。每期的快遞都準時到達,而且在線客服也很不錯,態度也很好!

2023-06-25 12:30:15
來自luweihu**的評論:

觀雜志性價比很高,整體感覺不錯,印刷很正裝訂不錯,包裝不錯哦,內容不錯很滿意,覺得值得大家拜讀一番,發貨還是比較及時的,也很正規,服務也還不錯。

2023-06-21 15:06:30
來自xujinwu**的評論:

第一次訂,比單買便宜多了,還能直接送到家里,挺好的。這本雜志,不錯,店家服務很貼心到位。

2023-04-03 12:26:15
來自liaosiy**的評論:

雜志非常的不錯,內容豐富,圖片精美,很有感覺,這本確實值得購買,這家店鋪也很棒。性價比超級高的??头諔B度很好,送來的包裹都是很好且都比較快的,雜志之家,值得信賴!下次會再光顧。

2023-01-01 13:43:25
來自xutingt**的評論:

好不容易讀完了還是蠻厲害的,有一種研究理論了然于心,信手一揮寫成一本書的感覺,前半段尤為精彩,有不少讓人耳目一新的角度,客觀論述中不乏主觀創見,也很贊嘆其涉及面之廣及時間跨度之大,只有雜志之家的書籍才有如此分量重的文章了.

2022-09-01 18:54:52
來自tueirus**的評論:

我是投了一篇關于技術進展的文章,投稿后并根據修改意見進行修改,已經收到錄用通知,編輯部老師很有效率,很負責!對文章都會進行反復的校對,將錯誤點減為0.非常感謝他們。希望期刊越辦越好!

2021-01-12 12:11:50
來自cdsvfbg**的評論:

這本雜志是老師推薦的,整本書講解的都很清晰,也不啰嗦,對于相關科學技術領域內最新的科研成果和技術進展,論文學習非常有用。書質量也不錯,應該是正品,快遞很快,也沒有什么破損,相信導師相信雜志之家。

2020-11-12 17:30:37
來自bbikiwl**的評論:

我覺得這本書挺好的,學術性強,因為內容比較學術,而且比較開放,報道半導體物理學、半導體科學技術和相關科學技術領域內最新的科研成果和技術進展。

2020-08-15 15:52:10
來自dsfsdfd**的評論:

思考所能賦予人的力量,是你永遠也無法想象得到的,不斷思考,從不同方向來思考,做事情得到的結果是不同的,雜志之家的雜志看了好幾本,每一本都是精華,認真拜讀,能學到的很多!

2020-07-04 12:05:48
來自biklasi**的評論:

Journal of Semiconductors雜志闡述的語言很清新自然,閱讀起來很舒服,內容之外,文字和圖片的排版也很好,整本書的紙質很有質感,是一本漂亮的書。書很值得買,包裝得很結實!~發貨超快。

2020-04-16 17:12:58
來自poiusna**的評論:

雜志之家服務態度很好,很有耐心感覺挺專業的,果然賣的不僅僅是產品,更多的是服務,做很很好,不錯不錯。

2019-12-09 15:58:52
來自biousqs**的評論:

我投了一篇研究論文。總的來說,編輯部審稿很快,編輯也比較認真負責的,每次修改稿的時候都會細致到每個細節點上。審稿意見很誠懇。對文章幫助很大。希望Journal of Semiconductors雜志越辦越好

2019-09-21 18:33:51
來自tieauys**的評論:

Journal of Semiconductors雜志的工作效率還是很高的,很感謝外審專家,審稿非常認真,前后共退修了3次,由于是第一次寫論文,犯了很多低級錯誤。編輯很是認真負責,處理速度很快。望期刊越辦越好。

2019-09-21 18:28:25
來自qiuiaom**的評論:

個人感覺這期刊編輯老師還是很負責的,有問題問他都會盡快耐心的答復,對文章的修改也很細心。審稿老師給予修改文章的建議也很中肯,對提升文章質量幫助很大!

2019-07-04 17:58:37
來自iuiuusm**的評論:

雖然日常稿件處理量很大,但Journal of Semiconductors雜志編輯部老師效率高,態度熱情和耐心,不排斥投稿者查詢稿件。審稿老師也認真負責。是一個不錯的SCI期刊!

2019-03-15 15:01:59
來自yierqqq**的評論:

Journal of Semiconductors雜志的審稿周期還算比較快,工作人員相當的認真負責。兩個審稿人意見都給予肯定,修改完直接錄用,編輯修改非常細致,對文章的格式和標點都會認真校對。真的是一個很不錯的雜志

2018-11-16 19:28:15
  • gseyuio**: 目前審稿意見通過終審,待編輯排期待刊。非常激動。
    2019-02-04 18:28:43

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